TI, 업계 최초의 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시…“더 작고 효율적인 위성 설계 지원”

- 새로운 게이트 드라이버 제품군은 22V에서 200V까지의 폭넓은 전압대와 다양한 방사선 내성 수준 지원

- 모든 유형의 우주 항공 임무에서 전력 시스템의 효율성 향상

 

 

텍사스 인스트루먼트(TI)는 오늘 방사능 내성 및 방사능 경화 기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 출시하고, 업계 최초로 최대 200V 작동을 지원하는 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버가 포함되어 있다고 밝혔다.

 

해당 제품군은 핀 투 핀 호환이 가능한 세라믹 및 플라스틱 패키징 옵션으로 제공되며 세 가지 전압 레벨을 지원한다. TI가 이와 같이 우주 등급 전력 제품의 기술 개선을 이루면서, 엔지니어들은 TI의 제품군만으로도 모든 유형의 우주 항공 미션에 적합한 위성 전력 시스템을 설계할 수 있게 되었다.

 

위성 시스템은 궤도 내 데이터 처리 및 전송량 증가, 고해상도 이미징, 보다 정밀한 센싱에 대한 요구사항을 충족시키기 위해 점점 더 복잡해지고 있다. 엔지니어들은 위성 시스템의 임무 수행 능력을 향상시키기 위해 전력 시스템의 효율성을 극대화하는 데 주력하고 있다. TI의 새로운 게이트 드라이버는 상승 및 하강 시간이 짧고 GaN FET를 정확하게 구동하도록 설계되어 전원 공급 장치의 크기와 밀도를 개선해 준다. 이를 통해, 위성은 태양광 패널에서 생성된 전력을 보다 효과적으로 사용하여 임무를 수행할 수 있다.

 

TI 우주 항공 전력 제품 사업부의 하비에르 바예(Javier Valle) 제품 라인 매니저는 "위성은 글로벌 인터넷 서비스 제공부터 기후 및 운송 활동 모니터링에 이르기까지 여러 가지 중요한 임무를 수행하며 인류가 세상을 더 잘 이해하고 탐색하도록 돕는다"고 설명하고, "TI의 새 제품군은 저궤도, 중간 궤도, 정지궤도 상의 위성들이 우주의 극한 환경에서 높은 수준의 전력 효율을 유지하면서도 장기간 작동할 수 있도록 지원한다"고 밝혔다.

 

#TI#GaN#FET#