ST, 하프 브리지 게이트 드라이버 ‘STDRIVEG210’/211’ 출시…저전압 GaN 설계 단순화

- 산업용 장비·컴퓨터 주변기기 전력 변환 효율 향상 기대

ST마이크로일렉트로닉스는 저전압 GaN 전력 설계를 간소화하는 하프 브리지 게이트 드라이버 신제품 ‘STDRIVEG210’과 ‘STDRIVEG211’을 출시하고, 이번 제품은 산업용 및 통신용 버스 전압, 72V 배터리 시스템, 110V AC 라인 전원 장비 등 다양한 전력 변환 애플리케이션에 적합하다고 밝혔다.

 

신제품은 최대 220V의 레일 전압을 지원하며, 통합 선형 레귤레이터를 통해 하이사이드·로우사이드 6V 게이트 신호를 생성한다. 또한 분리된 싱크(Sink) 및 소스(Source) 경로를 제공해 정밀한 제어가 가능하다.

 

STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급장치, 배터리 충전기, 어댑터, 태양광 마이크로 인버터, LED 조명, USB-C 전력 소스 등 폭넓은 애플리케이션에 적용할 수 있다. 공진형 및 하드 스위칭(Hard-Switching) 토폴로지 모두를 지원하며, 300ns의 빠른 시동 시간으로 버스트 모드에서도 즉각적인 반응을 구현한다.

 

STDRIVEG211은 과전류 감지 및 스마트 셧다운 기능을 내장해 전동 공구, 전기 자전거, 펌프, 서보 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기 등에서 안정성을 강화한다. 또한 하이사이드 UVLO 보호 기능을 탑재해 모터 구동 환경에서도 높은 신뢰성을 제공한다.

 

두 모델 모두 부트스트랩 다이오드 통합으로 부품 원가를 절감하며, 2.4A 싱크 전류와 1A 소싱 전류를 분리된 경로로 제공해 빠른 스위칭 전환과 dV/dt 조정이 용이하다. 보호 기능으로는 교차 전도 방지용 인터로킹(Interlocking), 10ns의 짧은 전파 지연, 저전압 차단(UVLO), 과열 보호, ±200V/ns dV/dt 내성 등이 포함된다.

 

또한, 20V의 입력전압 허용 오차로 컨트롤러 인터페이스 설계를 단순화하고, 전력 관리용 대기(Standby) 핀과 분리된 전원 접지 구조로 켈빈(Kelvin) 구동 및 전류 션트 구성에 유연성을 제공한다.

 

STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 5mm x 4mm 크기의 소형 18리드 QFN 패키지로 현재 양산 중이며, 1,000개 단위 구매 시 가격은 개당 1.22달러부터 시작한다.

 

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