- 40V~650V 질화갈륨 전력 반도체 공급 시작…트레오 플랫폼 연계 전력 관리 지원
온세미가 새로운 GaNEXUS 질화갈륨(GaN) 전력 제품군을 출시하고 40V~650V 전압 범위의 GaNEXUS FET와 GaNEXUS 스마트 650V GaN FET 샘플 공급을 시작했다. AI 데이터센터와 48V 전력 시스템, 산업 자동화 환경에서 요구되는 고밀도 전력 변환을 겨냥한 제품으로 실리콘 대비 빠른 스위칭 동작과 낮은 손실 특성을 가진다.
AI 인프라가 요구하는 전력 효율 대응
AI 인프라와 전기화, 산업 자동화 시장이 확대되면서 더 높은 전력 밀도와 효율을 구현하는 전력 설계 수요도 늘고 있다. 데이터센터 운영 비용에서 전력과 냉각이 차지하는 비중은 지속적으로 증가하고 있으며, 설계자는 에너지 소비와 발열, 장비 크기를 동시에 관리해야 하는 과제에 직면해 있다.
온세미는 GaNEXUS를 실리콘과 엘리트 실리콘카바이드(EliteSiC)에 이어 추가한 질화갈륨 전력 반도체 제품군으로 공급한다. 고객은 애플리케이션과 전압 조건, 성능 요구사항에 맞춰 전력 효율과 열 특성, 시스템 비용을 비교할 수 있다.
고전압 DC-DC 변환기와 역률 보정(PFC), LLC 전력 스테이지에 적용한 GaNEXUS는 자기 부품 크기를 최대 약 60% 줄이고 전력 밀도를 약 1.5~2배 높인다. 전력 손실 감소는 고전력 시스템의 발열을 줄이며, GaNEXUS 스마트 제품은 시스템 위험 감소와 설계 단순화, 인증 기간 단축을 지원한다.
트레오 플랫폼 기반 전력 관리
GaNEXUS는 센싱과 제어, 보호, 전력 관리 기능을 통합한 온세미 트레오 플랫폼과 결합해 시스템 단위 전력 관리 환경을 제공한다. 설계자는 개별 전력 반도체가 아닌 시스템 관점에서 전력 변환과 관리 기능을 함께 검토할 수 있으며, 트레오 플랫폼과 GaNEXUS를 함께 적용하면 개발과 인증 기간이 단축된다. 열 관리 요구사항도 줄어들어 전력 시스템 전반의 효율 향상으로 이어진다.
온세미 GaN 사업부 앙투안 잘라베르 부사장은 “GaNEXUS 포트폴리오는 전력 시스템 설계를 위한 새로운 아키텍처 구현을 지원한다”며 “고객은 더 작은 공간에서 더 높은 전력을 처리하기 위한 설계 유연성을 확보할 수 있다”고 밝혔다.
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