ST-소이텍, SiC 기판 제조 기술 위한 협력 발표

- 향후 200mm SiC 기판 생산 지원하는 소이텍 기술의 인증 협약 체결

- 핵심 구현 반도체 기술로 전기 모빌리티로의 전환과 산업 시스템의 에너지 효율개선 지원

 

ST마이크로일렉트로닉스는 소이텍(Soitec)과 SiC 기판 생산을 위해 협력한다고 밝혔다.

 

향후 18개월에 걸쳐 ST는 소이텍의 기판 기술에 대한 적격 평가를 진행할 예정이다. 이번 협력의 목표는 향후 200mm SiC 기판 제조에 ST가 소이텍의 SmartSiC 기술을 채택함으로써 디바이스 및 모듈 제조 비지니스에 기판을 공급하며 양산할 예정이다.

 

ST의 오토모티브 및 디스크리트 그룹 사장인 마르코 몬티(Marco Monti)는 “200mm SiC 웨이퍼로의 전환은 시스템 및 제품의 전기화를 가속화하면서 자동차 및 산업용 고객들에게 상당한 이점을 제공하게 된다. 이러한 전환은 제품 양산이 본격화됨에 따라 규모의 경제를 추진하는 데 중요하다"고 설명하고, “ST는 고품질 기판부터 대규모 프론트엔드 및 백엔드 생산에 이르기까지 제조 공정 전반에서 노하우를 극대화하고자 수직 통합 모델을 택했다. 제조 수율과 품질을 지속적으로 개선하는 것이 소이텍과 기술 협력을 추진하는 목적"이라고 밝혔다.

 

소이텍의 COO 버나드 아스파(Bernard Aspar)는 “전기자동차가 출현하면서 자동차 산업은 큰 혼란을 겪고 있다. 소이텍의 독보적인 SmartCut 프로세스를 가진 최첨단 SmartSiC 기술은 SiC 반도체 적용을 가속화하는 데 핵심 역할을 할 것”이라고 밝히고, "소이텍의 SmartSiC 기판에 업계 최고인 ST의 SiC 기술과 전문성이 결합되면서, 자동차 칩 제조 분야의 기준이 바뀌고 있으며 새로운 표준이 수립될 것으로 보인다"고 덧붙였다.

 

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