- 인텔 18A·팬서 레이크 일부 레이어에 적용…6인치 마스크·스티칭으로 하이 NA EUV 활용 지원
인텔 파운드리와 ASML이 하이 NA(High NA) EUV 리소그래피를 인텔 18A와 ‘팬서 레이크(Panther Lake)’ 일부 레이어 양산에 적용하고, 고객사의 하이 NA EUV 도입을 위한 기술 개발을 이어간다. 인텔 파운드리는 장비 인증과 연구개발을 거쳐 현재까지 하이 NA EUV로 100만 장 이상의 웨이퍼를 처리했다.
양사는 미국 캘리포니아 몬터레이에서 열린 ‘SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 극자외선 리소그래피’ 컨퍼런스에서 하이 NA EUV의 양산 적용 현황과 6인치 마스크·스티칭 기술 개발 내용을 공개했다.
인텔 18A·팬서 레이크 일부 레이어에 하이 NA EUV 적용
하이 NA EUV는 기존 EUV보다 높은 개구율을 이용해 더 미세한 반도체 패턴을 형성하는 리소그래피 기술이다. 인텔 파운드리는 장비 인증과 테스트, 연구개발을 거쳐 코드명 ‘팬서 레이크’인 인텔 코어 Ultra 시리즈 3 프로세서의 일부 레이어 양산에 하이 NA EUV를 적용했다.
현재까지 하이 NA EUV로 처리한 웨이퍼는 100만 장을 넘어섰고, 오버레이(중첩 정밀도), 스루풋(처리량), 가동률은 인텔 파운드리의 기대치를 충족했다. 인텔 18A 일부 레이어에 하이 NA EUV를 적용해 제조한 제품은 기존 NA 0.33 EUV 기반 NXE 플랫폼으로 동일 레이어를 패터닝한 제품과 비교해 대등하거나 높은 성능을 지속적으로 나타냈다.
6인치 마스크에 스티칭 적용해 고객 도입 지원
인텔 파운드리는 기존 업계 표준인 6인치 마스크에서 하이 NA EUV를 활용할 수 있도록 층별 배치와 레티클 스티칭(reticle stitching), 공정 설계 키트(PDK)를 제공한다. 고객은 기존 마스크 규격을 유지하면서 하이 NA EUV를 공정에 적용할 수 있다.
레티클 스티칭은 여러 노광 영역을 이어 하나의 큰 패턴을 형성하는 기술이다. 인텔 파운드리와 ASML은 이번 SPIE 컨퍼런스에서 표준 6인치 마스크 기반 하이 NA EUV 공정에 필요한 스티칭 기술과 스캐너·마스크 요구사항을 공유한다.
양사는 향후 하이 NA EUV 확장에 대비해 6×12인치 대형 마스크 도입도 추진한다. 인텔 파운드리는 지난 3년 이상 ASML과 마스크 제조사, 자동화 공급업체, EDA 파트너, 소재 공급업체 등과 대형 마스크 도입에 필요한 표준과 기술 개발을 진행해왔다.
6×12인치 마스크까지 하이 NA EUV 적용 범위 확대
ASML 크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) CEO는 “인텔 파운드리는 2024년 최초의 상용 EXE 시스템 도입부터 최신 세대 장비 검증, 하이 NA로 제조한 첫 양산형 로직 제품 출하까지 하이 NA 적용을 이어왔다”며 “ASML은 6인치 마스크 활용과 6×12인치 마스크 전환을 지원하고 있다”고 밝혔다.
인텔 파운드리 나가 찬드라세카란(Naga Chandrasekaran) 수석부사장은 “점점 복잡해지는 AI 제품을 개발하는 기업에는 양산에 바로 적용하고 쉽게 사용할 수 있는 제조 기술이 필요하다”며 “스티칭 적용 여부와 관계없이 6인치 마스크에서 하이 NA를 지원하고, 6×12인치 마스크 전환을 위해 ASML 및 업계와 협력해 나갈 것”이라고 밝혔다.
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