- 40~650V 전압 범위 제공…고전압 전력단 자기 부품 크기 최대 60% 줄여
마우저 일렉트로닉스가 온세미의 ‘가넥서스(GaNEXUS)’ 질화갈륨 전계효과 트랜지스터(GaN FET)를 공급한다. GaN의 와이드 밴드갭 특성을 활용해 빠르게 전력을 스위칭하면서 게이트와 출력 전하를 낮추고, AI 서버와 데이터센터부터 산업 자동화·로보틱스·에너지 인프라까지 전력 변환에 적용한다. 가넥서스는 인핸스먼트 모드 방식의 디스크리트 GaN 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 제품군으로 40~650V 전압 범위를 제공하며, 높은 주파수로 전력을 변환해 자기 부품의 크기를 줄이면서 전력 밀도를 높여준다. 650V 제품군에는 보호 기능을 통합한 스마트 GaN FET도 포함했다.
저·중전압 시스템에서 스위칭 손실 줄여
AI 서버와 48V 중간 버스 컨버터(IBC), 배터리 백업 유닛(BBU), 모터 드라이브에서는 높은 스위칭 주파수가 자기 부품의 소형화로 이어진다. 전력 변환 과정의 스위칭 손실을 줄이면서 전력 밀도와 열 성능을 높이고 제어 안정성을 유지하는 방식이다. 동작 주파수가 높아지면 전력 변환에 사용하는 자기 부품을 작게 설계할 수 있어 열 관리와 냉각 요건도 낮아진다. 온세미는 이를 통해 설계 복잡성을 줄이고 개발과 인증에 필요한 과정을 단축하도록 했다.
고전압 전력단 자기 부품 최대 60% 축소
고전압 영역에서는 효과를 자기 부품 크기로 구체화했다. AI 파워 셸프와 고전압 DC-DC 변환, 역률 보정(PFC), LLC 전력단에 가넥서스를 적용하면 고주파 AC-DC와 공진 전력단의 자기 부품 크기를 최대 60%까지 줄인다. PFC와 LLC, 고전압 DC-DC 전력단은 더 높은 주파수에서 동작하면서 같은 공간에서 처리하는 전력 밀도를 높인다. 자기 부품이 작아지면서 열 관리 부담과 운영 비용도 줄이는 방향이다.
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