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- 최적의 설계 응용성을 가지는 9가지 새로운 제품군 추가

UnitedSIC, 업계 최상의 6mΩ SiC FET 출시 발표.jpg

 

 

실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 분야 선도 기업 UnitedSiC는 기존 제품 대비 고성능, 고효율의 SiC FET에 대한 파워 설계자들의 요구 사항을 충족하기 위해 업계 최고의 750V, 6m제품을 출시했다고 밝혔다.

 

이번에 출시된 6m신제품은 SiC MOSFET 경쟁사와 비교할 때, 절반 이하의 RDS(on) 값에서 5µs의 견고한 단락 저항 시간을 제공한다. 이번 발표에는 정격6, 9, 11, 23, 33 44m750V SiC FET 시리즈 9가지 신제품 및 패키지 옵션이 포함되어 있다.

 

모든 제품은 TO-247-4L 패키지로 사용할 수 있으며, 18, 23, 33, 44 60m제품들의 경우 TO-247-3L로도 제공된다. 이미 사용 가능한 18m60m제품들을 보완 및 확장해 출시된 새로운 750V 시리즈들은 설계자에게 더 많은 제품 옵션을 제공함과 동시에 넉넉한 설계 여유와 회로 견고성을 유지하면서 최적의 비용/효율 균형을 달성할 수 있도록 설계 유연성이 뛰어나다.

 

UnitedSiC4세대 SiC FETSiC JFETSi MOSFET 이 결합된 캐스코드(cascode)’ 방식이다. 이러한 캐스코드 방식은 내장된 ESD 보호 기능과 함께 쉽고 안정적이며 견고한 게이트 드라이브를 유지한 상태에서 고온에서 동작 시 고속 및 저손실 와이드밴드갭 기술의 장점들을 완벽하게 제공한다.

 

이러한 장점들은 다이의 단위면적당 전도 손실에서, RDS(on) x A와 같은 성능지수(FoMs)로 계량화된다. 4세대 SiC FET는 다이의 고온 및 저온 상태 모두에서 현재 시장에 출시된 제품 중 가장 낮은 값을 보여준다. 성능지수 FoM RDS(on) x EOSS/QOSS의 경우 하드 스위칭 애플리케이션에서 매우 중요하며, UnitedSiC 제품의 경우 타 경쟁사 수치의 절반 수준이다.

 

또한, FoM RDS(on) x COSS(tr)의 경우 소프트 스위칭 애플리케이션에서 매우 중요하며, UnitedSiC750V제품은 650V정격의 경쟁사 제품과 비교하여 30% 정도 낮은 수치를 가지고 있다. 하드 스위칭 애플리케이션의 경우 SiC FET의 내장된 바디 다이오드(body diode)는 회복 속도 및 정방향 전압 강하에서 Si MOSFET 또는 SiC MOSFET의 기술들과 비교할 때 우수한 성능을 나타낸다.

 

UnitedSiC4세대 기술에 통합된 또 다른 장점으로는 최신 웨이퍼 박형 기술과 은소결 다이 부착을 통해 다이에서 케이스로의 열저항을 획기적으로 줄인 것이다. 이러한 기능은 까다로운 애플리케이션에서 낮은 다이 온도 상승을 위한 최대 전력 출력을 가능하게 한다.

 

스위칭 효율과 온저항 값이 향상된 최신 UnitedSiC SiC FET 제품은 도전적이고 새로운 애플리케이션에 이상적이다. 전기 자동차의 트랙션 드라이브, 온보드 및 오프보드 충전기 그리고 일반적인 신재생 에너지 인버터에서의 단방향 및 양방향 전력 변환, 역률 보정, 통신 변환기 및 AC/DC 또는 DC/DC 전력 변환의 모든 단계에 이용될 수 있다. 기존 애플리케이션 또한 Si MOSFET IGBT 게이트 드라이브와 기존 TO-247 패키징과의 하위 호환성을 통해 손쉽게 고효율의 이점을 누릴 수 있다.

 

UnitedSiC의 사장 겸 CEO인 크리스 드리스(Chris Dries)"UnitedSiC4세대 SiC FET는 의심할 여지없이 경쟁하는 기술 분야에서 최고 성능의 제품이라고 설명하고, ”와이드밴드갭 스위치 기술의 새로운 기준을 확립했다. 현재 새로운 범위의 제품군이 추가됨에 따라 모든 성능 및 예산 사양과 더 넓은 범위의 애플리케이션을 위해 더 많은 옵션들이 제공될 것"이라고 밝혔다.

 

 

#UnitedSiC#FET
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