- 실리콘밸리 EPIC 센터 기반 차세대 D램·HBM 기술 협력

 

어플라이드 머티어리얼즈가 SK하이닉스와 차세대 AI 메모리 기술 개발을 위한 장기 연구개발(R&D) 협력을 추진한다. 양사는 실리콘밸리에 구축되는 EPIC 센터를 중심으로 차세대 D램과 HBM의 성능과 에너지 효율을 높이기 위한 공동 연구를 진행한다.

 

AI 확산으로 커지는 메모리 병목 문제

AI와 고성능 컴퓨팅 확산으로 메모리 성능의 중요성이 빠르게 커지고 있다. 프로세서 성능은 빠르게 향상되는 반면 메모리 처리 속도는 상대적으로 느리게 발전하면서 시스템 성능 병목이 발생하고 있다. HBM과 차세대 D램은 이러한 격차를 줄이기 위한 핵심 기술로 평가된다. 메모리 대역폭과 에너지 효율을 동시에 개선하려는 기술 경쟁도 글로벌 반도체 산업 전반에서 확대되는 흐름이다.

 

EPIC 센터 기반 공동 연구 구조

양사는 실리콘밸리에 구축되는 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터를 공동 연구 거점으로 활용한다. 엔지니어들이 한 공간에서 협업하며 신소재 개발과 공정 통합, 3D 첨단 패키징 기술을 함께 연구하는 구조다. 공동 혁신 프로그램은 차세대 메모리 아키텍처 구현을 위한 재료 공학과 공정 통합 기술에 초점을 맞춘다. 이를 통해 메모리 성능 향상과 양산 공정 전환을 동시에 추진한다.

 

어플라이드 머티어리얼즈 게리 디커슨 회장 겸 CEO는 “어플라이드와 SK하이닉스는 재료공학 혁신을 통해 메모리 칩의 에너지 효율을 개선해 온 협력 역사를 공유하고 있다”며 “EPIC 센터 협력을 통해 차세대 D램과 HBM 기술 상용화를 앞당길 것”이라고 밝혔다.

 

SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 “AI 시스템 확장은 에너지 효율적인 메모리 기술에 대한 수요를 빠르게 늘리고 있다”며 “어플라이드와 협력을 통해 AI에 최적화된 차세대 메모리 기술 개발을 가속할 것”이라고 덧붙였다.

 

50억 달러 규모 EPIC 센터 연구 투자

EPIC 센터는 약 50억 달러 규모로 구축되는 반도체 장비 연구개발 시설이다. 미국 내 반도체 장비 분야에서 가장 큰 규모의 연구 투자 프로젝트 가운데 하나다. 이 시설은 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지 이어지는 기술 개발 과정을 단축하도록 설계됐다. 반도체 기업들은 어플라이드 머티어리얼즈의 연구개발 포트폴리오에 조기 접근하며 차세대 기술의 양산 전환 속도를 높일 수 있다.

 

어플라이드 머티어리얼즈 프라부 라자 반도체 제품 그룹 사장은 “메모리 기술 발전은 디바이스와 패키징 전반의 재료 공학 혁신에 크게 의존하고 있다”며 “EPIC 센터와 싱가포르 첨단 패키징 연구 역량을 결합해 메모리 기술 혁신을 가속할 것”이라고 밝혔다.

 

AI 시대 메모리 기술 개발 방향에 대해서도 설명이 이어졌다. SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장 CTO는 “AI 시대 메모리 기술 발전을 위해서는 웨이퍼 팹 장비 개발에 대한 새로운 접근이 필요하다”며 “신소재와 공정 통합, 열 관리 기술 연구를 통해 차세대 AI 메모리 개발을 앞당길 것”이라고 설명했다.

 

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