- 새로운 포트폴리오, 업계 표준 패키지에서 스위치당 업계 최저 Rds(on)을 제공하는 고속 스위칭 MOSFET 및 하프 브리지 전력 통합 모듈이 포함

 

온세미(ON)는 최신 1200V 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC) 실리콘 카바이드(SiC) M3S 디바이스 출시를 발표했다.

 

해당 디바이스는 전력 시스템 설계자가 업계 최고 효율을 달성하고 시스템 비용을 절감할 수 있도록 한다. 새로운 포트폴리오에는 증가 추세인 800V 전기차(EV) 온보드 충전기(OBC)와 전기차 충전, 태양광 및 에너지 저장 시스템과 같은 에너지 인프라 애플리케이션을 지원하기 위해 더 빠른 스위칭 속도를 지원하는 EliteSiC MOSFET과 모듈이 포함된다.

 

또한, 포트폴리오의 일부로는 표준 F2 패키지에서 업계 최저 수준의 Rds(on)을 제공하는 하프 브리지 형태의 통합 모듈(PIM)의 새로운 EliteSiC M3S 디바이스가 있다. 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 이 모듈은 DC-AC, AC-DC 및 DC-DC 고전력 변환 시스템에서 가장 적합하다. 해당 모듈은 병렬 스위치 간의 균형 잡힌 전류 공유 및 열 분배를 가능하게 하는 최적화된 DBC(Directed Bonded Copper)를 사용한 설계로 높은 수준의 완성도를 제공한다. PIM은 에너지 인프라, 전기차 DC 고속 충전 및 무정전 전원 공급 장치(UPS)에서 고전력 밀도를 제공하도록 설계됐다.

 

온세미의 어드밴스드 파워 디비전 수석 부사장 겸 총괄 아시프 자크와니(Asif Jakwani)는 "온세미의 최신 자동차 및 산업용 EliteSiC M3S 제품을 통해 설계자는 애플리케이션 공간과 시스템 냉각 요구 사항을 줄일 수 있으며, 이를 통해 설계자는 더 높은 수준의 효율과 향상된 전력 밀도를 갖춘 고전력 변환기를 개발할 수 있다"고 밝혔다.

 

전장용 인증(AEC-Q)을 받은 1200V EliteSiC MOSFET은 최대 22kW의 고전력 OBC 및 고전압-저전압 DC-DC 변환기에 맞게 설계됐다. M3S 기술은 고속 스위칭 애플리케이션을 위해 특별히 개발됐으며, 스위칭 손실에서 업계 최고의 장점을 가지고 있다.

 

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