- 업계 최초로 전력 경로 보호 기능이 내장된 48V 통합 핫스왑 eFuse가 데이터 센터 설계를 간소화하고 6kW 이상의 전력 수준에 도달할 수 있도록 지원
- TI 질화갈륨(GaN)과 고성능 게이트 드라이버, 고급 보호 기능을 통합한 새로운 GaN 전력계, 업계 표준 ‘트랜지스터 아웃라인 무연(TOLL)’ 패키지에 결합
텍사스 인스트루먼트는 오늘 급증하는 데이터 센터의 전력 수요를 충족하기 위한 새로운 전력 관리 칩을 출시하고, 고성능 컴퓨팅과 인공지능(AI)의 도입이 점차 증가함에 따라 데이터 센터는 더 높은 전력 밀도와 효율적인 솔루션을 필요로 한다고 밝혔다.
TI의 새로운 TPS1685는 데이터 센터의 하드웨어 및 처리 성능을 지원하기 위해 전원 경로 보호 기능을 갖춘 업계 최초의 48V 통합 핫스왑 eFuse이다. 또한, TI는 데이터 센터 설계를 간소화하기 위해 업계 표준 트랜지스터 아웃라인 무연(TOLL) 패키지로 제공되는 새로운 통합 질화갈륨(GaN) 전력계 제품군인 LMG3650R035, LMG3650R025, LMG3650R070을 함께 출시했다. TI는 지난 3월 16일부터 20일까지 미국 조지아주 애틀랜타에서 개최된 APEC(Applied Power Electronics Conference) 2025에서 제품들을 선보였다.
TI의 새로운 TPS1685 핫스왑 eFuse는 더욱 효율적이고 전력 밀도가 높은 데이터 센터를 구현해준다.
TI의 로버트 테일러(Robert Taylor) 산업용 전원 설계 서비스 부문 총괄 매니저는 "데이터 센터가 점점 더 많은 에너지를 요구하게 되면서, 전 세계 디지털 인프라를 위한 전력 공급은 더욱 스마트하고 효율적인 반도체를 구현하는 데서부터 출발한다"고 설명하고, "첨단 칩이 AI의 연산 능력을 주도하는 반면, 아날로그 반도체는 에너지 효율을 극대화하는 데 핵심적인 역할을 한다. TI가 전력 관리 부문에서 이루어 내고 있는 혁신은 데이터 센터들이 환경 발자국을 줄이면서 현재 디지털 세계의 늘어나는 요구 사항을 지원할 수 있게 해준다"고 밝혔다.
지능형 시스템 보호로 6kW 이상의 전력 수준 구현
전력 수요가 급증함에 따라 데이터 센터 설계 엔지니어들은 효율성과 확장성을 높이기 위해 48V 전력 아키텍처로 전환하고 있으며, 이를 통해서 CPU와 GPU 및 AI 하드웨어 가속기 등의 부품을 지원한다. TI의 48V 스택형 통합 핫스왑 eFuse는 전력 경로 보호 기능을 갖추고 있어서 엔지니어들이 시중에 있는 기존 핫스왑 컨트롤러에 비해 설계를 간소화하고 솔루션 크기를 절반으로 줄이면서 고전력(>6kW) 처리 요구 조건을 해결할 수 있도록 지원한다.
업계 표준 패키지로 제공되는 TI GaN으로 더 높은 효율성 달성
TI는 새로운 통합 GaN 전력계 제품군도 출시했다. LMG3650R035, LMG3650R025 및 LMG3650R070 은 업계 표준 TOLL 패키지로 제공되어 엔지니어가 비용과 시간을 들여 재설계할 필요 없이 TI GaN의 효율성을 손쉽게 활용할 수 있도록 한다.
새로운 전력계는 고성능 게이트 드라이버를 650V GaN 전계효과 트랜지스터(FET)와 통합하여 높은 효율(>98%)과 높은 전력 밀도(>100W/in3)를 달성하며, 과전류 보호, 단락 보호 및 과열 보호와 같은 고급 보호 기능도 함께 통합되어 있다. 이는 더 작은 공간에 더 많은 전력을 공급해야 하는 서버 전원과 같은 AC/DC 애플리케이션에 특히 중요하다.
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