인피니언 테크놀로지스 상단 냉각(TSC) Q-DPAK 패키지로 제공되는 CoolSiC MOSFET 1200V G2를 출시했다고 밝혔다.

 

1200V G2는 최적화된 열 성능, 시스템 효율 및 전력 밀도를 제공하며 전기차(EV) 충전기, 태양광 인버터, UPS(무정전 전원 장치), 모터 드라이브, 솔리드스테이트 회로 차단기 등 높은 성능과 신뢰성이 요구되는 까다로운 산업용 애플리케이션을 위해 특별히 설계됐다.

 

새로운 CoolSiC 1200V G2 기술은 이전 세대 대비, 동일한 RDS(on) 디바이스의 스위칭 손실을 최대 25%까지 낮추어 시스템 효율을 0.1%까지 향상시킨다.

 

인피니언의 향상된 .XT 실리콘 접합 기술을 활용한 G2 디바이스는 G1 제품군 대비 15% 이상 낮은 열 저항과 11% 낮은 MOSFET 온도를 달성했다. 4mΩ~78mΩ의 탁월한 RDS(on) 값과 다양한 제품 포트폴리오를 통해 애플리케이션에 따라 시스템 성능을 최적화 할 수 있다.

 

또한, 이 새로운 기술은 과부하 상태에서 최대 200°C까지의 반도체 정션 온도(Tvj)를 지원하며 기생 성분에 의해 원치 않는 턴온에 대한 높은 견고성을 특징으로 해 역동적이고 까다로운 부하 조건에서도 안정적인 동작을 보장한다.

 

싱글 스위치와 듀얼 하프 브리지의 CoolSiC MOSFET 1200V G2 디바이스가 Q-DPAK으로 제공된다. Q-DPAK 패키지는 소자 상단 표면에서 방열판으로 직접 열을 방출해 열 성능을 향상시킨다. 이 직접 열 경로는 기존 하단 냉각 패키지에 비해 열 전달 효율이 크게 향상돼 더욱 컴팩트한 설계가 가능하다.

 

또한, Q-DPAK 패키지 레이아웃 설계는 고속 스위칭에 필수적인 기생 인덕턴스를 최소화한다. 이를 통해 시스템 효율을 향상시키고 전압의 오버슈트 위험을 줄일 수 있다. 이 패키지의 작은 풋프린트는 컴팩트한 시스템 설계를 지원하고, 자동화된 납땜 공정이 가능하므로 PCB 조립 과정을 간소화해 비용 효율성과 확장성을 보장한다.

 

 

#인피니언#CoolSiC#G2#MOSFET