- 산업용 장비·컴퓨터 주변기기 전력 변환 효율 향상 기대

ST, ‘하프 브리지 게이트 드라이버’ 출시…저전압 GaN 설계 단순화.jpg

ST마이크로일렉트로닉스는 저전압 GaN 전력 설계를 간소화하는 하프 브리지 게이트 드라이버 신제품 ‘STDRIVEG210’과 ‘STDRIVEG211’을 출시하고, 이번 제품은 산업용 및 통신용 버스 전압, 72V 배터리 시스템, 110V AC 라인 전원 장비 등 다양한 전력 변환 애플리케이션에 적합하다고 밝혔다.

 

신제품은 최대 220V의 레일 전압을 지원하며, 통합 선형 레귤레이터를 통해 하이사이드·로우사이드 6V 게이트 신호를 생성한다. 또한 분리된 싱크(Sink) 및 소스(Source) 경로를 제공해 정밀한 제어가 가능하다.

 

STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급장치, 배터리 충전기, 어댑터, 태양광 마이크로 인버터, LED 조명, USB-C 전력 소스 등 폭넓은 애플리케이션에 적용할 수 있다. 공진형 및 하드 스위칭(Hard-Switching) 토폴로지 모두를 지원하며, 300ns의 빠른 시동 시간으로 버스트 모드에서도 즉각적인 반응을 구현한다.

 

STDRIVEG211과전류 감지 및 스마트 셧다운 기능을 내장해 전동 공구, 전기 자전거, 펌프, 서보 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기 등에서 안정성을 강화한다. 또한 하이사이드 UVLO 보호 기능을 탑재해 모터 구동 환경에서도 높은 신뢰성을 제공한다.

 

두 모델 모두 부트스트랩 다이오드 통합으로 부품 원가를 절감하며, 2.4A 싱크 전류와 1A 소싱 전류를 분리된 경로로 제공해 빠른 스위칭 전환과 dV/dt 조정이 용이하다. 보호 기능으로는 교차 전도 방지용 인터로킹(Interlocking), 10ns의 짧은 전파 지연, 저전압 차단(UVLO), 과열 보호, ±200V/ns dV/dt 내성 등이 포함된다.

 

또한, 20V의 입력전압 허용 오차로 컨트롤러 인터페이스 설계를 단순화하고, 전력 관리용 대기(Standby) 핀과 분리된 전원 접지 구조로 켈빈(Kelvin) 구동 및 전류 션트 구성에 유연성을 제공한다.

 

STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 5mm x 4mm 크기의 소형 18리드 QFN 패키지로 현재 양산 중이며, 1,000개 단위 구매 시 가격은 개당 1.22달러부터 시작한다.

 

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