- 고밀도·저전력 DRAM 실용화 앞당기는 산화물 반도체 채널 기술 공개

 

키옥시아 코퍼레이션이 미국 샌프란시스코에서 열린 IEEE 국제 전자소자학회(IEDM)에서 고밀도·저전력 3D DRAM 실용화를 가능하게 하는 고적층형 산화물 반도체 채널 트랜지스터 기술을 발표했다. 이 기술은 메모리 용량 확장과 전력 소비 저감을 동시에 구현할 수 있는 핵심 DRAM 구조 기반을 제시한다.

 

고적층형 산화물 반도체 채널 트랜지스터 개발

키옥시아는 수직으로 적층된 산화물 반도체 채널 트랜지스터 기술을 선보이며, 8층으로 적층된 트랜지스터의 동작을 검증했다. 기존 실리콘 기반 적층 구조 대신 InGaZnO 산화물 반도체를 적용해 수평·수직 구조를 동시에 형성함으로써 3D DRAM 셀 적층 구현의 비용 문제를 해결할 수 있을 것으로 기대된다.

 

저전력·고밀도 특성 구현

이번 기술은 낮은 오프 전류 특성 덕분에 DRAM 리프레시 전력량을 줄일 수 있다. 연구에서는 치환 공정으로 형성된 수평 트랜지스터에서 높은 온 전류(30μA 이상)와 초저 오프 전류(1aA 미만, 10⁻¹⁸A) 특성을 동시에 구현했으며, 8층 적층 구조 내 개별 트랜지스터의 정상적인 작동을 확인했다.

 

메모리 기술 전환점 제시

AI 서버, 사물인터넷(IoT) 기기 등 고용량·저전력 메모리 수요가 확대되는 가운데, 기존 DRAM 셀의 물리적 한계는 메모리 용량 확대와 전력 효율 목표 달성에 제약이 되고 있다. 키옥시아의 산화물 반도체 채널 기술은 이러한 한계를 극복하는 방향으로 DRAM 동작 구조를 확장하는 역할을 할 전망이다.

 

키옥시아는 이번 발표 기술을 기반으로 3D DRAM의 실용화를 가속화하고, 메모리 솔루션 분야에서 고밀도·저전력 제품 혁신을 지속 추진할 계획이라고 밝혔다.

 

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