- 첨단 노드 스케일링·차세대 메모리·초고도 3D 집적 공동 개발
- 미국 역대 최대 반도체 장비 R&D 투자…상용화 기간 수년 단축 목표
어플라이드 머티어리얼즈가 실리콘밸리에 건설 중인 50억 달러(약 6조원) 규모 EPIC 센터에 삼성전자가 합류한다고 발표했다. 고속 공동 혁신 모델을 통해 첨단 노드 스케일링과 차세대 메모리 아키텍처, 초고도 3D 집적 기술을 공동 개발하며 R&D부터 상용화까지의 시간을 수년 단축하겠다는 전략이다.
EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터는 반도체 공정 기술과 제조 장비 협력 연구개발을 위한 세계 최대 규모 시설로 설계됐다. 초기 연구 단계부터 양산 이전 검증까지 병렬 개발 체계를 구축해 공정 혁신 속도를 높이는 것이 핵심이다.
AI 인프라 확산 대응…공정 동시 개발 체계 전환
어플라이드 머티어리얼즈 게리 디커슨(Gary Dickerson) CEO는 글로벌 AI 인프라 확대로 에너지 효율 칩 수요가 빠르게 증가하고 있다고 밝히며, 차세대 제조 기술 구현을 위해 업계가 협업 방식을 근본적으로 재설계해야 한다고 강조했다.
삼성전자 전영현 대표이사 부회장은 양사가 오랜 기간 첨단 장비 기술을 공동 발전시켜 왔다고 밝히고, EPIC 센터를 계기로 기술 협력을 한층 강화하겠다는 계획을 제시했다.
어플라이드 머티어리얼즈 프라부 라자(Prabu Raja) 반도체 제품 그룹 사장은 반도체 복잡성이 높아질수록 전체 공정을 동시에 개발하는 방식이 성능·수율·비용을 좌우한다고 밝히며, 삼성전자를 첫 창립 멤버로 맞아 생태계 기반 공동 혁신 모델을 본격 가동한다고 덧붙였다.
첨단 패터닝·식각·증착 공정, 원자 수준 혁신 추진
공동 개발 프로그램은 ‘High-velocity co-innovation’을 기반으로 현 세대 대비 수 노드 앞선 칩 구현을 목표로 한다. 첨단 패터닝, 식각, 증착 공정에서 원자 단위 정밀도를 높이고, 차세대 로직 및 메모리 반도체 구현을 가속한다.
실리콘밸리 EPIC 센터는 미국 내 역대 최대 규모의 첨단 반도체 장비 R&D 투자 사례다. 기존 순차적·분절형 개발 구조 대신 병렬 개발과 민첩한 공정 전환 모델을 도입해 개발 주기를 단축한다. 생태계 전반이 차세대 공정에 조기 접근하도록 설계했으며, 이를 통해 상용화 성공률과 R&D 투자 대비 수익성을 동시에 높일 계획이다.
EPIC 센터는 협업 R&D를 위한 최첨단 클린룸을 갖추고 2026년 가동을 목표로 구축을 진행하고 있다.
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