- GTC 2026 공개, AI 데이터센터용 800V DC 전력 변환 포트폴리오 확대
ST마이크로일렉트로닉스가 엔비디아와 협력해 AI 데이터센터용 800 VDC 전력 변환 포트폴리오를 확장하고 800 VDC-12V 및 800 VDC-6V 신규 아키텍처를 공개했다. NVIDIA 800 VDC 레퍼런스 설계를 기반으로 기존 800 VDC-50V 전력 스테이지를 보완하며 기가와트급 AI 컴퓨팅 인프라에서 요구되는 고밀도 전력 분배 구조를 지원한다.
AI 서버 전력 구조 다변화 대응 800 VDC 에코시스템
대규모 AI 학습 클러스터와 추론 인프라는 GPU 세대, 서버 폼팩터, 열 설계 조건에 따라 서로 다른 전력 변환 토폴로지를 요구한다. AI 데이터센터에서는 랙 밀도와 냉각 구조에 따라 50V, 12V, 6V 중간 DC 버스가 함께 사용되는 구조가 확산되고 있다. 이번 12V 및 6V 출력 스테이지 확장은 이러한 전력 아키텍처 변화 흐름을 반영한다.
800 VDC-12V 직접 변환 구조
800 VDC-12V 컨버터는 랙 전력 선반에서 AI 가속기 전압 도메인까지 직접 전력을 공급하는 구조다. 기존 54V 중간 변환 단계를 제거해 변환 손실을 줄이고 전력 경로를 단순화했다. 고밀도 전력 공급 보드(PDB)를 적용해 기존 2단계 변환 경로 대비 효율 향상을 목표로 설계됐다.
GPU 인접 배치를 고려한 800 VDC-6V 아키텍처
800 VDC-6V 전력 경로는 전력 스테이지를 GPU 인근에 배치하는 구조를 고려했다. 전력 전달 거리를 줄여 IR 강하를 낮추고 급격한 부하 변화 구간에서 응답 성능을 개선한다. 고밀도 GPU 구성을 사용하는 서버 환경에서 전력 변환 단계를 줄일 수 있는 토폴로지 구성을 제공한다.
GaN 기반 800V-50V 고밀도 전력 변환 기술
ST는 2025년 10월 800V에서 1MHz로 직접 구동되는 GaN 기반 LLC 컨버터가 적용된 통합형 전력 공급 시스템 프로토타입을 공개했다. 해당 시스템은 98% 이상의 효율과 스마트폰 크기 폼팩터에서 50V 기준 2,600W/in³ 이상의 전력 밀도를 구현했다. 실리콘, SiC, GaN 전력 반도체와 아날로그, 혼합 신호, 마이크로컨트롤러 기술을 결합해 전력 변환 집적도를 높였다.
기가와트급 AI 인프라 전력 포트폴리오 확장
이번 12V 및 6V 아키텍처 추가로 800 VDC-50V, 12V, 6V 전력 스테이지를 포함한 전력 변환 포트폴리오가 완성됐다. 다양한 GPU 폼팩터와 랙 전력 구조에 대응 가능한 전력 분배 옵션을 제공해 고밀도 AI 데이터센터 설계 유연성을 높인다.
ST 마르코 카시스 사장은 AI 인프라 확장에 따라 고전압 분배와 고전력 밀도 구현 요구가 증가하고 있으며 이번 신규 컨버터가 기가와트급 컴퓨팅 인프라 구축을 위한 전력 아키텍처 확장에 기여한다고 밝혔다.
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