- STDRIVEG212·STDRIVEG612, 220V·600V 하이사이드 지원

- SmartSD 보호 기능·고속 전파 지연 특성으로 모션 제어 효율 개선

 

ST가 모션 제어와 전력 애플리케이션을 위한 고속 GaN 하프 브리지 게이트 드라이버 STDRIVEG212와 STDRIVEG612를 출시했다. GaN HEMT 구동에 최적화된 5V 게이트 제어와 SmartSD 보호 기능을 통합해 고속 스위칭 환경에서 전력 효율과 스위칭 안정성을 높였다.

 

GaN HEMT 구동 최적화 고속 드라이버

두 제품은 각각 최대 220V와 600V 하이사이드 전압에서 동작하며 인핸스드 모드 GaN HEMT에 정밀 제어된 5V 게이트 신호를 제공한다. 하이사이드·로우사이드 5V LDO와 부트스트랩 다이오드, 저전압 차단(UVLO) 기능을 QFN 패키지에 통합해 외부 부품 수를 줄이고 전력 스테이지 설계를 단순화한다.

 

SmartSD 기반 과전류·과열 보호 기능

통합 스타트업 레귤레이터가 드라이버 공급 전압을 안정화해 일관된 스위칭 제어를 유지한다. 임베디드 비교기가 과전류를 감지하면 두 GaN 스위치를 차단하고 SmartSD 기능이 소자가 충분히 냉각될 때까지 셧다운 상태를 유지해 안전한 재동작 조건을 확보한다.

 

고속 스위칭 특성 기반 모션 제어 응답 향상

50ns 전파 지연 매칭과 5µs 하이사이드 스타트업 시간을 지원하며 ±200V/ns dV/dt 내성을 확보했다. 하드 스위칭 환경에서도 빠른 스위칭 응답과 안정적인 전력 제어를 통해 모터 구동 정밀도를 높인다.

 

출력 아키텍처 최적화 기반 BOM 절감

분리된 싱크·소스 경로 기반 LDO가 최대 1.8A 싱크 전류와 0.8A 소스 전류를 제공한다. 턴온·턴오프 임피던스를 차별화해 외부 턴오프 다이오드 없이 스위칭 특성을 개선하고 게이트 루프 인덕턴스를 낮춰 부품 수(BOM)를 줄인다.

 

산업용 온도 범위 지원 평가 보드 제공

두 디바이스는 -40°C에서 125°C 범위의 산업용 동작 온도를 지원하며 4mm x 5mm QFN 패키지로 제공된다. EVLSTDRIVEG212 평가 보드를 함께 제공해 GaN 기반 전력 설계 검증과 개발 과정을 단순화한다.

 

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