- RDS(on) 0.59mΩ 구현으로 전도 손실 감소 및 소형 전력 설계 지원

 

ST가 스마트 STripFET F8 기술을 적용한 저저항 MOSFET 시리즈를 출시하고 자동차 전력 분배 및 배터리 관리 시스템에서 전도 손실 감소와 PCB 면적 절감을 지원한다.

 

저저항 특성 기반 전력 손실 감소

신규 시리즈 첫 제품 STL059N4S8AG는 40V/420A 사양의 N채널 인핸스먼트 모드 MOSFET으로 0.59mΩ의 낮은 RDS(on)을 구현했다. PowerFLAT 5x6 패키지를 적용해 소형 제어 모듈 설계를 지원하며 PCB 공간 사용량을 줄인다. 열전도 특성을 개선해 고전류 환경에서도 안정적인 동작을 유지한다.

 

최대 동작 온도는 175°C까지 확장됐으며 웨터블 플랭크(Wettable Flanks) 패키지를 적용해 자동 광학 검사 공정 대응성을 높였다. 자동차 전자부품 신뢰성 기준인 AEC-Q101 인증을 충족한다.

 

스마트 STripFET F8 공정 기반 다이 면적 효율 개선

스마트 STripFET F8은 개선된 트렌치 게이트 구조를 적용해 동일 면적에서 더 낮은 RDS(on)을 구현한다. 게이트 구조 미세화로 전류 흐름 저항을 줄여 고전류 전력 분배 환경에서 발생하는 전도 손실을 낮추며 전력 효율이 중요한 자동차 전력 분배 시스템에 적용된다.

 

STi²Fuse VIPower 게이트 드라이버와 함께 사용하면 과전류 상황에서 회로 차단 동작을 수행해 PCB 트레이스와 커넥터, 배선을 보호한다. 전력 분배 과정에서 발생하는 열 손실을 줄여 차량 전기 시스템 효율을 높인다.

 

배터리 관리 시스템 효율 개선

낮은 RDS(on) 특성은 배터리 관리 시스템(BMS)에서 충·방전 과정 전력 손실을 줄이며 셀 밸런싱 과정에서도 전력 전달 효율을 높인다.

 

현재 STL059N4S8AG는 자동차 등급으로 생산 중이며 350A·0.75mΩ 사양 STL075N4S8AG와 780A·0.35mΩ 사양 STK035N4S8AG도 순차적으로 출시될 예정이다.

 

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