- SiC MOSFET·게이트 드라이버 조합 분석 도구 제공…설계 반복 작업 줄여 개발 기간 단축

 

온세미, ‘엘리트 페어링 스튜디오’ 공개…SiC 전력 설계 초기 검증 자동화.jpg

온세미가 온라인 설계 도구인 엘리트 페어링 스튜디오(Elite Pairing Studio)를 공개하며 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 설계 과정에서 초기 부품 선정과 성능 검증 작업을 지원한다.

 

엘리트 페어링 스튜디오는 엔지니어가 애플리케이션 요구사항에 맞는 SiC MOSFET과 게이트 드라이버 조합을 빠르게 찾고, 스위칭 동작과 손실 특성, 부품 간 상충 관계를 평가하도록 돕는다. 기존 데이터시트 비교와 스프레드시트 분석, 실증 테스트 중심으로 진행하던 부품 선정 작업을 온라인 환경에서 처리해 설계 초기 반복 작업을 줄이는 데 초점을 맞췄다.

 

전력 반도체 조합 분석 자동화

전력 전자 시스템은 효율과 손실, 동작 온도, 신뢰성 등을 동시에 고려해야 하며, 게이트 드라이버와 스위칭 디바이스의 조합은 시스템 성능에 직접 영향을 미친다. 특히 설계 초기 단계의 부품 선택은 전력 변환 효율과 열 관리, 전자기 간섭(EMI) 특성을 결정하는 주요 요소로 작용한다. 온세미는 엘리트 페어링 스튜디오를 통해 엔지니어가 조건에 맞는 게이트 드라이버와 SiC MOSFET 조합을 단계별로 검토하도록 했다. 개발자는 여러 조합을 비교하면서 반복 검증 과정을 줄이고, 전력 아키텍처 조정 방향을 초기 단계에서 좁힐 수 있다.

 

클라우드 기반 시뮬레이션 환경 제공

엘리트 페어링 스튜디오는 온세미 웹사이트에서 제공하는 클라우드 기반 환경에서 작동한다. 사용자는 독립된 작업 공간에서 입력 조건에 따라 다양한 디바이스 조합을 검토하고, 선택한 SiC MOSFET과 게이트 드라이버 조합에 대한 분석 결과를 확인한다. 분석에는 업계에서 널리 활용되는 검증 공식과 실제 성능 계산을 적용했다. 온세미는 평가 로직도 공개해 사용자가 분석 과정을 직접 확인하도록 했으며, 엔지니어는 스위칭 타이밍, 게이트 전압·전류(V/I) 파형, 디바이스 정격 대비 전압 오버슈트 마진, 턴온·턴오프 에너지 손실 등 주요 성능 지표를 검토한다.

 

PLECS·엘리트 파워 시뮬레이터와 연계

엘리트 페어링 스튜디오는 분석 결과를 인터랙티브 파형 뷰어로 제공한다. 설계자는 시스템 수준 시뮬레이션 이전 단계에서 부품 조합을 판단하고, 생성된 결과를 PLECS 기반 시스템 시뮬레이션 모델과 연계한다. 온세미는 엘리트 파워 시뮬레이터(Elite Power Simulator)를 통해 효율과 열 특성, 손실 성능을 추가로 조정하도록 했다. AI 데이터센터, 전기차, 산업용 시스템, 전기화 인프라 등 고성능 전력 애플리케이션을 주요 적용 분야로 꼽았다. 엘리트 페어링 스튜디오는 현재 온세미 웹사이트에서 사용할 수 있으며, 독일 뉘른베르크에서 열리는 PCIM 엑스포 2026(PCIM Expo 2026) 온세미 부스에서 시연될 예정이다.

 

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