삼성전자·ASML, 12인치 포토마스크 공동 개발…2028년 D램에 High NA EUV 도입

- 대형 마스크 컨소시엄 참여해 6인치 한계 대응…공정 단순화·팹 생산성 향상 추진

 

삼성전자가 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)’에 참여해 차세대 12인치 포토마스크 공동 개발에 나선다. 현재 노광 공정에 사용하는 6인치 포토마스크를 12인치로 전환해 High NA EUV의 스티칭 제약을 줄이는 한편, ASML과 2028년 첨단 D램 제조에 High NA EUV를 도입하기 위한 협력도 강화한다.

 

6인치에서 12인치로…스티칭 제약 해소

대형 마스크 컨소시엄은 반도체 노광설비에 사용하는 6인치 포토마스크를 12인치로 전환하기 위해 공동 연구와 표준 개발을 추진하는 협의체다. 삼성전자를 비롯한 참여 기업들은 노광설비와 포토마스크 관련 글로벌 기술 동향을 모니터링하고 12인치 포토마스크 개발에 협력한다.

 

포토마스크는 미세 회로 패턴을 새긴 정밀 마스크로, 노광설비가 빛을 이용해 웨이퍼에 회로 패턴을 전사하는 과정에 사용한다. High NA EUV와 12인치 포토마스크를 함께 적용하면 패턴을 나눠 노광한 뒤 연결하는 스티칭 제약을 줄여 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있다. 수백억 개의 트랜지스터를 정밀하게 배치하는 첨단 반도체에서도 High NA EUV 설비의 이점을 온전히 활용해 생산 비용을 낮출 수 있다.

 

2028년 첨단 D램에 High NA EUV 도입 추진

삼성전자는 ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 High NA EUV를 도입하기 위한 협력을 진행한다. High NA EUV의 정밀한 패터닝을 활용해 D램 미세화 로드맵을 이어가면서 공정을 단순화하고 생산성을 높이는 것이 목표다. 삼성전자는 메모리와 파운드리에서 축적한 EUV 사용 경험을 12인치 포토마스크 개발과 High NA EUV 도입에 활용한다.

 

삼성전자 전영현 대표이사 부회장은 “AI 시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다”며 “삼성전자는 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 기술을 발전시키고 ASML과의 협력을 강화해 ‘Next AI’를 위한 기술 기반을 마련할 것”이라고 밝혔다.

 

ASML 크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) CEO는 “삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 반도체 제조 기술을 함께 발전시켜 왔다”며 “AI가 이끄는 새로운 시대를 맞아 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조 기술을 발전시켜 나가기를 기대한다”고 덧붙였다.

 

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