- 새로운 1700V EliteSiC 디바이스, 에너지 인프라 및 산업용 응용 시스템에서 안정적, 효율적인 작동 제공
온세미는 실리콘 카바이드(SiC) 제품군으로 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC)를 공개했다. 온세미는 미국 라스베가스에서 열리는 소비자 전자제품 박람회(CES)에서 새로운 제품 3가지인 1700 V EliteSiC MOSFET 및 1700V 급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(Schottky diode) 2개를 선보일 예정이다.
이 새로운 디바이스는 에너지 인프라 및 산업용 응용시스템을 위해 신뢰할 수 있는 고효율 성능을 제공하며, 이를 통해 온세미는 산업용 SiC 솔루션을 선도할 것이다.
온세미는 1700V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1)을 통해 고전력 산업용 응용 시스템에 필요한 더 높은 BV SiC 솔루션을 제공한다. 또한, 1700V급의 EliteSiC 쇼트키 다이오드(NDSH25170A, NDSH10170A) 2개를 통해 설계자는 SiC로 고효율을 제공하면서 고온에서 안정적인 고전압 작동을 달성할 수 있다.
온세미 파워 솔루션 그룹(onsemi Power Solution Group)의 부사장 겸 총괄인 사이먼 키튼(Simon Keeton)은 “새로운 1700 V EliteSiC 디바이스는 전력 손실을 줄이고 동급 최고의 효율성을 제공함으로써 EliteSiC 제품군의 우수한 성능 및 품질의 높은 표준을 강화할 뿐만 아니라 온세미의 EliteSiC의 깊이와 폭을 더욱 확장한다”고 설명하고, “온세미의 엔드 투 엔드 SiC 제조 역량과 함께 우리는 산업용 에너지 인프라 및 산업용 응용 시스템의 제공업체의 요구 사항을 충족하는 기술과 공급 보장을 제공한다”고 밝혔다.
재생 에너지 애플리케이션은 1100V ~ 1500V DC 버스의 태양광 시스템을 통해 지속적으로 더 높은 전압으로 이동한다. 이러한 변화를 지원하기 위해 소비자는 더 높은 BV를 가진 MOSFET이 필요하다. 새로운 1700V EliteSiC MOSFET은 -15V/25V의 최대 Vgs 범위를 제공하고, 게이트 전압이 -10V까지 변동하는 빠른 스위칭 애플리케이션에 적합하여 향상된 시스템 신뢰성을 제공한다.
40A(Amps)에서 1200V의 테스트 조건에서 1700V EliteSiC MOSFET은 200nC의 게이트 전하(Qg)를 달성한다. 이는 300nC에 가까운 동급 경쟁 디바이스와 비교해 시장을 선도하는 성능이다. 낮은 Qg는 빠른 스위칭, 고전력 재생 에너지 애플리케이션에서 고효율을 달성하는 데 중요하다.
1700V의 BV 정격에서 EliteSiC 쇼트키 다이오드 디바이스는 최대 역 전압(VRRM)과 다이오드의 피크 반복 역 전압 사이에서 향상된 마진을 제공한다. 또한, 새로운 디바이스는 25°C에서 40µA, 175°C에서 100µA의 최대 역방향 전류(IR)로 우수한 역 누설 성능을 제공한다. 이는 25°C에서 100µA의 정격을 가진 경쟁 디바이스보다 훨씬 우수하다.
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