인피니언 테크놀로지스는 TO263-7 패키지를 적용한 새로운 세대의 차량용 1200V CoolSiC MOSFET을 출시한다고 밝혔다. 이 오토모티브 등급의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 온보드 차저(OBC)와 DC/DC 애플리케이션에서 높은 전력 밀도와 효율을 달성하고, 양방향 충전을 가능하게 하고, 시스템 비용을 크게 낮추도록 한다.
새로운 1200V CoolSiC 제품은 1세대와 비교해서 25% 낮은 스위칭 손실로 동급 최고의 스위칭 성능을 제공한다. 이러한 스위칭 동작 향상은 고주파수 동작을 가능하게 하여, 시스템 크기를 줄이고 전력 밀도를 높이도록 한다. 4V 이상의 게이트-소스 임계 전압(VGS(th))과 극히 낮은 Crss/Ciss 비율로 기생 턴온의 위험 없이 VGS = 0V에서 안정적인 턴오프를 달성한다. 따라서 단전원 구동이 가능하여 시스템 비용과 복잡성을 줄일 수 있다. 그뿐만 아니라 새로운 제품은 낮은 온 저항(RDS(on))을 특징으로 하여, -55°C~175°C의 전체 온도 범위에서 도통 손실을 낮춘다.
또한, 향상된 확산 솔더링 칩 탑재 기술(.XT 기술)을 적용해서 패키지 열 성능을 크게 향상시킴으로써 SiC MOSFET 접합부 온도를 1세대와 비교해서 25%까지 낮추며, 5.89mm의 연면 거리로 800V 시스템의 요구를 충족하고 코팅 작업을 줄이도록 한다. 인피니언은 다양한 애플리케이션 요구를 충족하도록 다양한 RDS(on) 옵션을 제공한다. 여기에는 TO263-7 패키지로 시장에서 유일한 9mΩ 타입을 포함한다.
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