- 고전압, 고전력 GaN 기술의 지속적인 개발 지원

 

파워 인테그레이션스(Power Integrations)는 수직형 질화갈륨(GaN) 트랜지스터 기술 개발업체인 오디세이 세미컨덕터 테크놀로지스(Odyssey Semiconductor Technologies)의 자산 인수에 합의했다고 오늘 밝혔다. 이번 거래는 2024년 7월에 완료되며, 모든 오디세이의 주요 직원은 파워 인테그레이션스의 기술 조직에 합류될 예정이다.

 

이번 인수는 여러 제품군에 탑재된 파워 인테그레이션스의 독점 PowiGaN 기술에 대한 지속적인 개발 로드맵을 뒷받침하게 된다. 이 기술은 InnoSwitch IC, HiperPFS-5 역률 보정 IC, 그리고 최근 출시된 단일 스테이지, 다중 출력 IC 제품군인 InnoMux-2 제품군 등에 사용되었다. 파워 인테그레이션스는 2023년에 900볼트 및 1250볼트 버전의 PowiGaN 기술과 제품을 출시한 바 있다.

 

파워 인테그레이션스의 기술 담당 부사장 라두 바산(Radu Barsan) 박사는 “파워 인테그레이션스는 2018년에 PowiGaN 기술이 적용된 제품을 출시하기 시작한 이래 GaN 개발 및 상용화에 앞장서왔다”고 설명하고, “우리는 실리콘 MOSFET과의 가격 동등성 추진과 PowiGaN의 전압 및 전력 기능 확장 등 야심찬 로드맵을 실행하고 있다”고 밝혔다.

 

또한, “우리의 목표는 비용 효율적인 고전류 및 고전압 GaN 기술을 상용화하여 현재 실리콘 카바이드(SiC)가 제공하는 고전력 애플리케이션을 지원하는 것이며, SiC에 비해 근본적인 재료적 이점을 가진 GaN을 통해 가격은 낮추고 성능은 높이는 것이다. 고전류 수직형 GaN에 대한 오디세이 팀의 경험은 이러한 노력을 강화하고 가속할 것이므로 이들이 우리 팀에 합류하게 되어 매우 기쁘다”고 덧붙였다.

 

오디세이의 공동 창립자이자 최고경영자인 리차드 브라운(Richard Brown) 박사는 “오디세이 팀과 저는 파워 인테그레이션스의 GaN 기술 로드맵을 가속하는 일에 합류하게 되어 매우 기쁘다”고 밝히고, “고전압 GaN을 상용화한 최초의 회사인 파워 인테그레이션스는 비용, 전압 및 전류 측면에서 기술을 발전시키고 GaN의 기능을 본격적으로 활용하는 시스템 레벨 제품을 설계하는 데 있어 계속 업계의 선두를 지키고 있다”고 강조했다.

 

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