- HBM4·2나노 이하 파운드리·첨단 패키징 연계…AI 가속기와 고속 통신 반도체에 적용

 

1K삼성전자·브로드컴, 2030년까지 2000억달러 이상 AI 반도체 협력.jpg

삼성전자와 브로드컴이 2030년까지 5년간 메모리와 파운드리 분야에서 2000억달러 이상 규모의 전략적 협력을 추진한다. 삼성전자는 HBM을 비롯한 메모리와 2나노 이하 파운드리 공정, 첨단 패키징을 브로드컴의 AI 가속기와 고속 데이터 통신용 반도체에 적용할 계획이다. 양사는 24일 현지시간 미국 샌프란시스코 더 미드웨이에서 열린 AI 서밋에서 차세대 AI 핵심 인프라 개발을 위한 전략적 업무협약을 체결했다. 행사에는 삼성전자 파운드리사업부 한진만 사장과 브로드컴 혹 탄(Hock Tan) CEO를 비롯한 양사 경영진과 정부 관계자가 참석했다.

 

메모리·파운드리·패키징 협력

삼성전자는 메모리와 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 턴키 솔루션을 기반으로 브로드컴과 협력 범위를 넓힌다. 반도체 설계와 공정을 함께 최적화하는 단계부터 칩 설계, 패키징, 양산까지 전 과정을 연계해 제품 개발 기간과 성능, 전력 효율을 조정한다. 글로벌 빅테크 기업을 중심으로 자체 AI 가속기인 주문형반도체(ASIC) 도입이 늘면서 커스텀 반도체 설계와 메모리, 제조 공정, 패키징을 함께 맞추는 작업도 확대되고 있다. 양사는 브로드컴의 커스텀 반도체 설계 역량과 삼성전자의 메모리·제조·패키징 기술을 결합한다.

 

HBM4·HBM4E 공급 협력

메모리 분야에서는 HBM을 브로드컴 AI 가속기에 적용한다. 삼성전자는 1c D램과 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4를 지난 2월 양산 출하했으며, 5월에는 HBM4E 샘플을 고객사에 공급했다. 삼성전자는 HBM의 성능과 신뢰성, 전력 효율을 기반으로 브로드컴 AI 가속기의 데이터 처리와 연산 성능을 뒷받침할 계획이다.

 

2나노 이하 파운드리와 첨단 패키징

파운드리 분야에서는 브로드컴의 차세대 고속 데이터 통신용 반도체를 비롯한 주요 제품에 2나노 이하 공정을 적용한다. 삼성전자는 제품별 설계와 공정 조건을 함께 조정해 성능과 전력 효율 요구에 맞춘 제조 공정을 제공할 예정이다. 2나노 공정 기반 첨단 패키징 기술도 협력 범위에 포함된다. 삼성전자는 AI 반도체에 필요한 고성능·고효율 패키징을 적용하고, 설계부터 양산까지 이어지는 개발 과정을 브로드컴과 함께 진행한다.

 

설계부터 양산까지 연계

양사는 반도체 설계와 제조 공정을 함께 검토하는 초기 단계부터 협력한다. 삼성전자의 메모리와 파운드리 공정, 첨단 패키징을 브로드컴의 AI 가속기와 통신용 반도체 개발 과정에 연결하고 양산까지 이어갈 계획이다. 삼성전자는 AI와 고성능 컴퓨팅용 반도체를 중심으로 브로드컴과 추가 협력 기회를 발굴한다.

 

삼성전자 DS부문 전영현 부회장은 “AI 시대에는 메모리, 로직, 첨단 패키징이 긴밀하게 통합된 반도체 솔루션이 중요하다”며 “브로드컴과의 협력을 확대함으로써 미래 AI 인프라 발전을 가속화하고 고객에게 더 큰 가치를 제공하겠다”고 밝혔다.

 

브로드컴 반도체 솔루션 그룹 찰리 카와스(Charlie Kawwas) 사장은 “AI 인프라가 빠르게 확장되면서 반도체 생태계 전반의 긴밀한 협력이 중요해지고 있다”며 “삼성전자와의 협력을 통해 다양해지는 시장의 요구에 최적화된 차세대 솔루션을 함께 만들어 가겠다”고 덧붙였다.

 

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