- TSMC 22nm 공정 기반 초기 실리콘 검증 완료…저전력 엣지 AI 연산 겨냥

 

테트라멤(TetraMem)이 22nm 멀티 레벨 RRAM(저항변화메모리) 기반 아날로그 인메모리 컴퓨팅(IMC) 시스템온칩(SoC)의 초기 실리콘 검증을 완료했다. 이를 통해 외부 메모리 이동 없이 메모리 내부에서 직접 연산을 수행하는 저전력 AI 반도체 구현 단계에 들어섰다.

 

멀티 레벨 RRAM 기반 초기 실리콘 검증

테트라멤은 TSMC 22nm 공정 기반 멀티 레벨 RRAM 아날로그 IMC SoC의 테이프아웃과 제조, 초기 실리콘 검증을 완료했다. 메모리 어레이 내부에서 직접 연산을 수행하는 아날로그 인메모리 컴퓨팅 방식을 적용해 데이터 이동과 전력 소모를 줄이는 데 초점을 맞췄다. MLX200 플랫폼은 멀티 레벨 RRAM 어레이와 혼합 신호 컴퓨팅 엔진을 결합해 고처리량 벡터 연산을 메모리 내부에서 처리하며 고급 CMOS 공정에서도 동작하도록 설계했다.

 

첨단 공정 기반 RRAM 검증

이번에 적용된 멀티 레벨 RRAM 기술은 저전압·저전류 동작과 높은 내구성, 메모리 밀도 확보를 목표로 개발됐다. 초기 실리콘 결과에서는 어레이 전반에서 일관된 동작 특성을 확인했으며 임베디드 비휘발성 메모리와 인메모리 컴퓨팅 적용 가능성도 검증했다.

 

테트라멤은 앞서 TSMC 65nm 공정 기반 MX100 플랫폼에서 수천 개 수준 컨덕턴스 레벨과 고정밀 아날로그 컴퓨팅 성능을 구현한 바 있다. 이번 22nm 공정 적용으로 멀티 레벨 RRAM 기반 아날로그 컴퓨팅 기술을 첨단 공정까지 확장했다.

 

엣지 AI 기반 저전력 연산 시장 공략

MLX200과 MLX201 플랫폼은 음성·오디오 처리와 웨어러블 기기, IoT, 상시 감지 기반 엣지 AI 환경을 목표로 개발됐다. 전력 소모와 지연 시간 감소가 중요한 AI 연산 환경을 중심으로 적용 범위를 확대하고 있다. 테트라멤은 2026년 하반기부터 평가 샘플 공급을 시작할 예정이며 멀티 레벨 RRAM 메모리 IP 라이선스 사업도 함께 추진한다.

 

테트라멤 글렌 지(Glenn Ge) CEO는 “멀티 레벨 RRAM과 아날로그 인메모리 컴퓨팅을 첨단 공정 기반 상용 실리콘으로 구현할 수 있다는 점을 확인했으며 차세대 AI 시스템의 에너지 효율과 확장성을 높이는 방향으로 적용 영역을 확대해 나가겠다”고 밝혔다.

 

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