마우저 일렉트로닉스는 온세미(onsemi) EliteSiC 실리콘 카바이드(SiC) 솔루션 제품군을 공급한다고 밝혔다. EliteSiC 포트폴리오에는 다이오드, MOSFET, IGBT 및 SiC 다이오드 전력 통합 모듈(PIM) 및 AEC-Q100 인증 디바이스가 포함된다. 해당 디바이스들은 에너지 인프라 및 산업용 응용 시스템을 위한 신뢰할 수 있는 고효율 성능을 제공하도록 최적화되었다.

 

재생 에너지 및 고전력 산업용 애플리케이션에는 1,700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET에서 제공하는 높은 항복 전압(BV)이 필요하다. NTH4L028N170M1은 -15V/+25V의 최대 게이트-소스 전압(V_GS) 범위를 제공하고, 게이트 전압이 -10V까지 변동하는 빠른 스위칭 애플리케이션에 적합하여 향상된 시스템 신뢰성을 제공한다. 이 1,700V EliteSiC MOSFET은 40A에서 1,200V의 테스트 조건에서 200nC의 게이트 전하(Q_g)를 달성하며, 이는 시장을 선도하는 성능이다. 이 낮은 Q_g를 통해 해당 디바이스는 빠른 스위칭, 고전력 재생 에너지 애플리케이션에서 고효율을 달성할 수 있다.

 

BV 정격이 1,700V인 NDSH25170A 및 NDSH10170A EliteSiC 쇼트키 다이오드는 최대 역 전압(V_RRM)과 다이오드의 피크 반복 역 전압 사이에 향상된 마진을 제공한다. 또한 이 같은 디바이스를 통해 설계자는 SiC로 고효율을 제공하면서 고온에서 안정적인 고전압 작동을 달성할 수 있다.

 

EV 충전소, 재생 에너지를 활용하는 전력망, 고전압/고전류 산업용 응용 시스템 등 온세미 EliteSiC 솔루션은 전력 손실을 줄이면서 동급 최고의 효율성을 제공한다.

 

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