- SiN·폴리실리콘·텅스텐·SiGe 식각 추가…모니터 웨이퍼 리클레임 양산 적용

 

ACM 리서치가 울트라 C 타호(Ultra C Tahoe)를 로직·메모리 반도체 제조용 멀티 프로세스 습식 공정 플랫폼으로 확장했다. 배치 방식과 싱글 웨이퍼 공정을 한 장비에서 운용하면서 첨단 습식 식각과 세정, 건조, 모니터 웨이퍼 리클레임을 처리한다. 여러 주요 반도체 제조사가 플랫폼을 채택했으며, 타호 리사이클(Tahoe Recycle)은 고객 양산 시설에서 가동 중이다.

 

배치·싱글 웨이퍼 공정을 한 장비에서 처리

울트라 C 타호는 배치 세정과 싱글 웨이퍼 공정을 공통 아키텍처에 결합했다. 배치 방식으로 긴 공정 시간을 확보하고 화학물질 사용량을 줄이는 동시에, 싱글 웨이퍼 방식으로 파티클 제거 효율과 공정 시간 제어 수준을 높인다. 웨이퍼 간 교차 오염도 줄였다.

 

기존에는 서로 다른 장비에서 수행하던 여러 공정 단계를 하나의 플랫폼에서 연속으로 처리한다. 장비 사이의 웨이퍼 이송과 사이클 타임을 줄이면서 높은 처리량과 파티클 제거 성능을 확보하는 방식이다.

 

질소 버블링으로 첨단 습식 식각 추가

벤치 질소(N₂) 버블링 기술은 균일한 실리콘 질화막(SiN) 리세스 식각과 폴리실리콘 식각·에치백, 텅스텐 리세스, 실리콘-게르마늄(SiGe) 리세스 식각에 적용된다. ACM 리서치는 자체 SAPS와 TEBO, SMT 기술에 고온 아이소프로필알코올(IPA) 건조 기술을 결합했다. 패턴이 형성된 웨이퍼의 손상을 줄이면서 식각과 첨단 세정, 건조를 이어서 처리한다.

 

첨단 공정 노드용 모니터 웨이퍼 리클레임도 추가했다. 모니터 웨이퍼는 장비 상태와 공정 안정성을 추적하는 데 사용하며, 타호 리사이클은 웨이퍼에 남은 막과 잔류물을 제거한 뒤 세정과 건조까지 수행한다. 양면 코팅과 두꺼운 막이 형성된 웨이퍼의 막 제거 성능을 높여 리클레임 웨이퍼의 청정도를 확보한다.

 

26nm 파티클 평균 6개 미만 기록

울트라 C 타호는 26nm 기준 파티클 수를 평균 6개 미만으로 억제했다. 표면 금속 오염도는 1×10⁹ atoms/cm² 미만을 기록했다. 황산 사용량은 최대 75% 줄여 대량 생산 과정의 제조 비용과 화학물질 폐기물을 낮춘다.

 

ACM 리서치 데이비드 왕(David Wang) CEO는 “반도체 제조 공정이 복잡해지면서 고객은 생산성을 높이고 변화하는 공정 요구사항을 유연하게 지원하는 솔루션을 필요로 한다”며 “타호 시스템의 멀티 프로세스 플랫폼 확장은 하이브리드 아키텍처의 다용성과 확장성을 보여주며, ACM은 공정 성능과 제품 개발의 친환경성을 높여 반도체 제조의 효율성과 지속가능성에 기여하겠다”고 밝혔다.

 

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